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電子材料的體電阻與表面電阻測量

更新時間:2024-04-09      點擊次數:79

一、實(shi)驗(yan)目的

使(shi)用三(san)電(dian)極(ji)系(xi)統測量介(jie)電(dian)材料(liao)(liao)的(de)絕緣(yuan)電(dian)阻(zu)(體電(dian)阻(zu)率與(yu)表(biao)面電(dian)阻(zu)率);了解受潮對材料(liao)(liao)表(biao)面電(dian)阻(zu)的(de)影響(xiang)。

二、實驗(yan)原(yuan)理

絕緣電(dian)阻是施加于絕緣體上兩個(ge)導(dao)體之間的(de)直(zhi)流(liu)電(dian)壓于流(liu)過(guo)絕緣體的(de)泄漏電(dian)流(liu)之比,即(ji):

R=U/IR------絕緣(yuan)電阻(Ω)U------直流電(dian)壓(ya)(V)I-------泄漏電(dian)流(A)

在某(mou)絕緣試樣上加一(yi)恒(heng)定電壓V,則無論在該(gai)材料(liao)(liao)的(de)體(ti)(ti)(ti)(ti)內和表(biao)(biao)(biao)面都有電(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)過(guo),這時(shi)流(liu)(liu)過(guo)材料(liao)(liao)的(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)I由流(liu)(liu)過(guo)材料(liao)(liao)體(ti)(ti)(ti)(ti)內的(de)體(ti)(ti)(ti)(ti)電(dian)(dian)流(liu)(liu)IV和流(liu)(liu)過(guo)材料(liao)(liao)表(biao)(biao)(biao)面的(de)表(biao)(biao)(biao)面電(dian)(dian)流(liu)(liu)IS兩部分組成。加在試(shi)樣(yang)(yang)(yang)上的(de)電(dian)(dian)壓(ya)V與(yu)通(tong)過(guo)它的(de)漏電(dian)(dian)流(liu)(liu)I的(de)比值稱(cheng)為該(gai)材料(liao)(liao)的(de)的(de)絕緣電(dian)(dian)阻,以R表(biao)(biao)(biao)示(shi)。恒(heng)定電(dian)(dian)壓(ya)V與(yu)體(ti)(ti)(ti)(ti)電(dian)(dian)流(liu)(liu)之比稱(cheng)為該(gai)試(shi)樣(yang)(yang)(yang)的(de)體(ti)(ti)(ti)(ti)電(dian)(dian)阻以RV表(biao)(biao)(biao)示(shi),恒(heng)定電(dian)(dian)壓(ya)V與(yu)表(biao)(biao)(biao)面電(dian)(dian)流(liu)(liu)之比稱(cheng)為該(gai)試(shi)樣(yang)(yang)(yang)的(de)表(biao)(biao)(biao)面電(dian)(dian)阻以RS表(biao)(biao)(biao)示(shi)。絕緣電(dian)(dian)阻

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影響絕(jue)緣電阻的諸因素1)溫(wen)度:溫(wen)度升高時體(ti)積電阻率呈指數式下降。2)濕(shi)度:絕緣體吸潮以后(hou),電阻率要明顯下降。3)電場(chang)強(qiang)度(du)(du):電場(chang)強(qiang)度(du)(du)很高(gao)時,絕緣(yuan)電阻下降(jiang)。4)輻照的影響:在光(guang)照條件下,絕緣電阻率(lv)明(ming)顯(xian)下降。

三、實(shi)驗內容

1.測量環氧(yang)樹脂(zhi)板(ban)(干(gan))的體(ti)電阻(zu)及表面(mian)電阻(zu)

2.測量2.205mm厚云母片。

四(si)、實驗步(bu)驟

1、接好(hao)電源線(xian)和(he)測試(shi)線(xian)2、確保電(dian)(dian)源為220V/50Hz,將測(ce)試(shi)線(xian)(紅線(xian)為高壓(ya)(ya)線(xian)接紅線(xian)柱,屏(ping)蔽(bi)線(xian)接電(dian)(dian)流輸入端)與測(ce)試(shi)器件連接好,根據(ju)不同的測(ce)量可使用不同得電(dian)(dian)極;連接測(ce)試(shi)樣品時要(yao)關電(dian)(dian)源,以防測(ce)試(shi)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)人。3、量程置于104檔 4、選擇(ze)合適的測量(liang)電壓 5、接(jie)通(tong)電(dian)源 6、調零         Rx開路(lu)的(de)情(qing)況下,調零(ling)是電流表(biao)的(de)顯示為(wei)0000,注意:在“Rx"兩(liang)端不開路(lu),如(ru)接(jie)在電阻箱或被測(ce)物體上時調零(ling)后測(ce)量會(hui)產生(sheng)很大的(de)誤差(cha)。一般一次(ci)調零(ling)后測(ce)試過程(cheng)中不需要再調零(ling)。

1)將被測(ce)試(shi)樣品置于三電(dian)極箱(xiang)中,并按下圖接線2)測量體電阻是,三電極箱如圖2-3(a)接線,高阻及高壓輸出(紅)接圓盤電極,電(dian)阻(zu)率(lv)儀(yi)電流輸入端(芯線)接圓柱電極,電阻率儀地(黑,屏蔽線)接圓環電極。蓋上屏蔽盒,將屏蔽盒前面板上的Rv與Rs開關撥向RV

測量體電阻Rv和(he)表面(mian)電阻(zu)Rs的(de)接線示意(yi)圖

3)將測試(shi)(shi)電壓(ya)選擇開關置(zhi)于所需(xu)要的測試(shi)(shi)電壓(ya)檔(本(ben)次實驗不超   過(guo)100V)4)測量(liang)時(shi)從低檔(dang)(dang)位(wei)(wei)逐漸撥(bo)向高檔(dang)(dang)位(wei)(wei),每(mei)撥(bo)一次稍(shao)停留1~2秒鐘,以便觀察所顯(xian)(xian)示(shi)的數(shu)字。當被測電(dian)阻(zu)大于(yu)儀(yi)器(qi)(qi)量(liang)程(cheng)時(shi),電(dian)阻(zu)表顯(xian)(xian)示(shi)“1",此(ci)時(shi)應繼續將儀(yi)器(qi)(qi)撥(bo)到量(liang)程(cheng)更高的位(wei)(wei)置。當測量(liang)儀(yi)器(qi)(qi)有(you)顯(xian)(xian)示(shi)時(shi)應停下,當前的數(shu)字表讀數(shu)乘以量(liang)程(cheng)檔(dang)(dang)次即為(wei)被測電(dian)阻(zu)值5)測試完畢將量程(cheng)開關撥至“104"檔后(hou)關閉電源(yuan)。6)測量表面電阻時,三電極按圖1(b)接線,高阻計高壓輸入(紅)接圓環電極,電阻率儀電流輸入端(芯線)接圓柱電極,電阻率儀(yi)地(黑,屏蔽線)接圓盤電極。蓋上屏蔽盒,將屏蔽盒前面板上的Rv與RS開關撥向RV。重復步驟(4)~(5)。  (7)  測量試樣的(de)總(zong)電(dian)阻。將RV、RS開關撥向RV處(chu),只(zhi)用上、下電(dian)極而不用保護電(dian)極(圓(yuan)環(huan)電(dian)極)。這樣就成為二電(dian)極系統(tong),其他操作與測RV相同。

五(wu)、數據記錄(lu)

樣品名稱(cheng)

厚度

RvV

RSV

IvA

ISA

云母(mu)片

2.205mm

0.557×1013

0.997×1012

19.48×1013

11.12×1012

每一試樣所測得的RV、RS按下(xia)述公式計算出ρv、 ρS

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其中:t:試樣厚(hou)度(cm);D1:圓柱電極直徑(jing)5.0(cm);D2:圓環電極內徑(jing)5.4(cm),2dm=D1+D2。

六、數據處理

樣品名稱

Rv

Rs

ρv

ρs

σv

σs

R計(ji)

云母(mu)片

0.557×1013

0.997×1012

53.62×1013

165.9×1012

0.1864×10ˉ1?

6.0277×10ˉ1?

0.846×1012

由(you)上數據結果知(zhi)道(dao)此云母片(pian)的(de)電阻(zu)很大,由(you)于只是對這個試(shi)驗了解,所以做了一組實驗沒有(you)作對比試(shi)驗所以不知(zhi)道(dao)干(gan)濕度(du)對電阻(zu)率的(de)影(ying)響(xiang)。

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